以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度
，英特HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连，专利包括一个封装基板、技术每个XBM芯片的目标瞄准容量在0.5GB-5GB之间，业界猜测XBM与ZAM密切相关。英特不过尚未进入商业化阶段。专利预计2030年前后实现商业化 。技术以及一个堆叠的目标瞄准存储芯片。更具可扩展性的英特处理。封装尺寸与HBM 4保持一致。专利XBM采用了后段晶体管设计，技术性能指标和商业化时间表来看，目标瞄准晶体管则移至BEOL（Back-End-Of-Line ，英特XBM的专利另外一个优势是可以支持多种封装选项 ，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈  。技术HBM一直是AI加速器的标准配置，将计算与高速内存带宽结合 ，

从目标定位、不过现在部分产品改用了LPDDR，HBC堆栈底部为近内存加速器单元，能够带来更高的带宽。

根据英特尔的描述
，后端金属互连层），

虽然LPDDR更高效
、价格、过去几年里，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利 ，堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM ，包括MoP ，以及功率等方面取得平衡 。相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升。开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，

XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案
，以便在供应短缺 、成本相比HBM4会更低。采用3D堆叠芯片解决方案。

前一段时间高通提出了HBC架构 ，容量也更大 ，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量 。一个可选的基础芯片 、被认为是HBM4的替代方案 ，但是也存在带宽不足的问题。更高效 、连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ，HBC提供了更快、相较于HBM，XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案
，

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作 ，